SK하이닉스는 세계 최초로 10나노급 6세대 DDR5 D램을 개발하는데 성공했다고 밝혔습니다.

이어 가장 먼저 기술 한계를 돌파해냈다며 동작 속도는 이전 세대보다 11％, 전력효율은 9％ 이상 개선됐다고 밝혔습니다.

SK하이닉스는 올해 안에 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 본격적으로 공급할 계획입니다.

또 7세대 고대역폭 메모리에도 기술을 적용해 D램 시장을 계속 선도해 나가겠다는 방침입니다.





YTN 최아영 ([email protected])

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