삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국으로 빼돌린 혐의로 삼성전자 전 임원과 연구원이 구속됐습니다.

경찰은 유출된 기술의 경제적 가치가 4조 원이 넘는 것으로 추정했습니다.

취재 기자 연결해 알아보겠습니다. 윤현숙 기자!

문제가 된 기술이 어떤 것인가요?

[기자]
삼성전자가 가지고 있는 20나노급 D램 메모리 반도체의 공정 단계별 핵심 기술입니다.

경찰은 이 기술을 유출하고 부정하게 사용한 혐의로 삼성전자 전 임원 최 모 씨와 전 수석연구원 오 모 씨를 구속해 검찰에 송치했습니다.

이들에게는 산업기술 유출방지법과 부정경쟁방지법 등의 혐의가 적용됐습니다.

경찰 조사에 따르면 최 씨는 2020년 9월 20나노급 D램 반도체 제조를 목표로 중국에 회사를 세웠고 이후 반도체 기술자인 오씨가 여기에 합류했습니다.

이 과정에서 중국 지방정부가 회사 자본을 댄 것으로 파악됐습니다.

이들은 제조시설을 갖춘 뒤 삼성전자의 반도체 핵심 공정 기술을 무단으로 사용해 1년 3개월 만에 시범 제품을 개발하는 데 성공한 것으로 알려졌습니다.

기존 반도체 회사들이 통상 4~5년 정도 걸리는 신제품 개발 기간을 삼성전자 기술을 빼돌려 활용하면서 크게 단축 시킨 것으로 보입니다.

경찰은 이렇게 중국에 유출된 반도체 기술의 경제적 가치가 무려 4조3천억 원에 이르는 것으로 추정했습니다.

또 경제 효과 등을 감안하면 실제 피해 금액은 가늠하기 어려운 수준이라고 덧붙였습니다.

특히 이번 사건은 국내 기술자 한두 명이 중국으로 이직하는 수준을 넘어 삼성전자의 반도체 관련 핵심 인사들이 중국 지방정부와 합작해 현지에 회사를 차리고 생산까지 시도했다는 점에서 심각성이 큽니다.

삼성전자의 피해는 물론 세계적인 반도체 기술 패권 전쟁 상황에서 우리나라 경제 안보의 근간을 흔드는 중대한 사안이라는 게 경찰의 판단입니다.

이들이 중국에서 운영하던 회사는 D램 개발에 성공한 후 수율을 높여가는 단계였는데 이번 수사 영향으로 가동이 중단된 것으로 전해졌습니다.

경찰은 구속된 최 씨와 오 씨 외에 이 회사로 이직한 국내 반도체 회사 출신 임직원을 추가로 입건해 관련 혐의에 대한 수사를 이어가고 있습니다.

지금까지 사회부에서 YTN 윤현숙입니다.






YTN 윤현숙 ([email protected])

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