'초격차' 내건 삼성전자, 3나노 반도체 내주 첫 양산

[앵커]

삼성전자 이재용 부회장. 유럽 출장 뒤 기술의 중요성을 강조했죠.

'초격차 기술'로 불확실한 글로벌 경영 환경을 극복하겠다는 뜻으로 풀이되는데요.

삼성전자가 다음 주 차세대 반도체인 3나노미터 공정 적용 반도체의 세계 첫 양산에 들어갑니다.

김종력 기자입니다.

[기자]

지난달 삼성전자 평택 반도체 공장을 방문한 조 바이든 미국 대통령.

방명록 대신 웨이퍼에 사인했는데, 이 웨이퍼가 3나노미터 공정 반도체 제작에 사용되는 웨이퍼입니다.

1나노미터는 10억분의 1m로, 3나노 반도체는 현 5나노 반도체보다 칩 면적과 소비전력은 각각 35%, 50% 적지만 처리속도는 30% 빨라 차세대 반도체로 불립니다.

삼성전자는 다음 주 세계 최초로 이 3나노미터 공정이 적용된 반도체의 양산에 들어갑니다.

유럽 출장을 다녀온 이재용 부회장이 '초격차 기술'을 강조하자 파운드리, 반도체 위탁생산 분야의 라이벌 대만 TSMC보다 먼저 최첨단 기술이 적용된 반도체를 선보이는 겁니다.

"첨단 기술을 우리가 먼저 개발하고 제품을 양산했다는 데 의의가 있고 그로 인해서 고객사들이 삼성을 선택할 수 있는 폭이 넓어지는거죠."

남은 과제는 수율입니다.

수율은 완성된 제품 중 양품의 비율을 의미하는 데 수율이 낮으면 공정 자체의 수준이 높아도 기술력을 인정받기 어렵고 수익성도 떨어지기 때문입니다.

이번 3나노미터 공정 시작은 2030년까지 메모리에 이어 시스템 반도체에서도 세계 1위에 오르겠다고 밝힌 삼성전자가 세계 시장 과반을 차지한 TSMC를 얼마나 빨리, 어느 정도 따라잡을 수 있을지 판단할 수 있는 시금석이 될 전망입니다.

연합뉴스TV 김종력입니다.

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